EEPROM的读写寿命和可靠性受哪些因素影响？

EEPROM作为一种非易失性存储器，其读写寿命通常受限于内部浮栅晶体管的氧化层疲劳。频繁的写操作会加速器件老化，导致存储单元失效。此外，电压波动、温度变化、制造工艺、芯片封装质量以及使用过程中的静电放电（ESD）等因素也会影响其稳定性和数据保持能力。如何通过合理的硬件设计与软件算法（如磨损均衡技术）延长EEPROM使用寿命，并提升系统整体可靠性，是嵌入式开发中需要重点关注的问题。

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